PROPRIEDADES ELÉTRICAS E ÓPTICAS DE BICAMADAS DE ZnO/ZnO

Al PARA APLICAÇÃO EM ELETRODOS DE CÉLULAS SOLARES FLEXÍVEIS DE FILMES FINOS

Autores

  • Breno Felipe Matos Lopes Instituto Militar de Engenharia - Praça General Tibúrcio, 80 – Urca, 22.290-270, Rio de Janeiro, RJ, Brasil.
  • Renan de Melo Correia Lima Instituto Militar de Engenharia - Praça General Tibúrcio, 80 – Urca, 22.290-270, Rio de Janeiro, RJ, Brasil.
  • Rodrigo Amaral de Medeiro Instituto Militar de Engenharia - Praça General Tibúrcio, 80 – Urca, 22.290-270, Rio de Janeiro, RJ, Brasil.
  • Carlos Luiz Ferreira Instituto Militar de Engenharia - Praça General Tibúrcio, 80 – Urca, 22.290-270, Rio de Janeiro, RJ, Brasil.
  • Leila Rosa de Oliveira Cruz Instituto Militar de Engenharia - Praça General Tibúrcio, 80 – Urca, 22.290-270, Rio de Janeiro, RJ, Brasil.

DOI:

https://doi.org/10.59627/cbens.2016.1438

Palavras-chave:

bicamadas ZnO/ZnO:Al, substratos flexíveis, células fotovoltaicas

Resumo

Bicamadas de filmes finos de ZnO/ZnO:Al foram depositadas por pulverização catódica rf em substratos de poliimida, a fim de alcançar propriedades elétricas e ópticas adequadas para aplicação em contatos frontais de células solares de CdTe flexíveis. Dois tipos de poliimida foram investigados: Kapton®PV e Kapton®HN. Para efeitos de comparação, filmes também foram crescidos sobre substratos de vidro. Foi estudada a influência tanto da potência de deposição quanto da espessura nas propriedades dos filmes. Observou-se que o Kapton®PV é melhor que o Kapton®HN para células fotovoltaicas com a configuração superstrato, porque ele é transparente em toda a faixa da região visível do espectro. Os resultados mostraram que os filmes de AZO com menor resistência (16-18 Ω/quad) foram obtidos com potência de 95 W e espessura de 750 nm. A transmitância média do conjunto ZnO:Al(750nm)/Kapton®PV foi de 75% e foi limitada pelo substrato Kapton®PV. A transmitância foi reduzida para 68% quando uma camada de ZnO de 100nm foi introduzida: ZnO(100nm)/ZnO:Al(750nm)/Kapton®PV. Apesar desta redução, o baixo valor de resistência alcançado, 13 Ω/quad, torna esta configuração adequada para aplicações como eletrodo frontal em células solares fotovoltaicas.

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Publicado

2016-12-13

Edição

Seção

Anais