INFLUÊNCIA DA TEMPERATURA DE DIFUSÃO DE BORO NA PRODUÇÃO DE CÉLULAS SOLARES P + NN + EM SILÍCIO CRISTALINO
DOI:
https://doi.org/10.59627/cbens.2010.1518Palavras-chave:
Células solares, Si-FZ tipo n, Dopagem, BoroResumo
O silício tipo n vem despertando o interesse mundial devido a sua maior tolerância a impurezas, tais como ferro e oxigênio, por apresentar degradação reduzida e maior tempo de vida dos portadores minoritários. O objetivo deste trabalho está centrado no desenvolvimento de um processo de fabricação industrial de células solares p + nn+ , pseudoquadradas de 80 mm x 80 mm, em silício crescido por fusão zonal flutuante (Si-FZ) tipo n e com metalização por serigrafia. A região p+ foi produzida a partir de boro depositado por spin-on e difusão a alta temperatura em forno convencional. A temperatura do processo de difusão de boro foi otimizada no intervalo de 900 ºC a 1020 ºC considerando as características elétricas das células solares. Os melhores dispositivos foram fabricados com difusão de boro a 1000 ºC por 20 min, atingindo-se uma eficiência de 14,6 %.
Downloads
Referências
Bruschi, D.L., 2010. Desenvolvimento de Células Sola res em Silício Tipo n com Emissor Formado com Boro. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Costa, R.C., 2009. Desenvolvimento de Processos Industriais de Fabricação de Células Solares Bifaciais em Silício Cz. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Desrues, T., Jourdan, J., Veschetti, Y., Monna, R., 2007. N-type Si solar cells with B-doped emitter using spin-on dopants. Proceedings of the 22th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milão, p. 1209-1212.
Dhamrin, M. et. al.,2007. Realization of High Minority-Carrier Properties in Low-Resistivity n-Type Multicrystalline Silicon, Proceedings of the Twenty Second European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milão, pp. 1151-1154.
Hirshman, W. P., 2010. Surprise,surprise. Solar cell production for 2009 hits 12 GW, an incredible 56-percent increase over 2008. Photon International, pp.176-199.
Jourdan, J.; Veschetti, Y.; Dubois, S.; Desrues T.; Monna, R., 2008. Formation of boron-doped region using spin-on dopant: Investigation on the impact of metallic impurities. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, v. 16, pp. 379-387.
Mulligan, W. et. al., 2007. Low Cost, High Volume Production of > 22 % Efficiency Silicon Solar Cells, Proceedings of the Twenty Second European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milão, pp. 816-819.
Pinto, J.L.; Pereira, M.S.; Zanesco, I.; Moehlecke, A., 2008. Análise da Contaminação e do Campo Retrodifusor em Células Solares Dopadas com Boro, II CBENS - II Congresso Brasileiro de Ener gia Solar e III Conferência Regional Latino-Americana da ISES, Florianópolis.
Schmidt, J. et. al., 2007. n-Type Silicon - The Better Material Choice for Industrial High-Efficiency Solar Cells?, Proceedings of the Twenty Second European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milão, pp. 998-1001.
Zanesco, I,; Moehlecke, A.; Mallmann, A.P., 2009. Implementação de Duas Unidades Geradoras de Energia Elétrica com Módulos Fotovoltaicos Eficientes, Convênio Ministério de Minas e Energia MME-008/2005, Porto Alegre: PUCRS. Relatório de Atividades (27/12/2005 a 01/07/2009). 135p.