INFLUÊNCIA DA TEMPERATURA DE DIFUSÃO DE BORO NA PRODUÇÃO DE CÉLULAS SOLARES P + NN + EM SILÍCIO CRISTALINO
DOI:
https://doi.org/10.59627/cbens.2010.1518Palavras-chave:
Células solares, Si-FZ tipo n, Dopagem, BoroResumo
O silício tipo n vem despertando o interesse mundial devido a sua maior tolerância a impurezas, tais como ferro e oxigênio, por apresentar degradação reduzida e maior tempo de vida dos portadores minoritários. O objetivo deste trabalho está centrado no desenvolvimento de um processo de fabricação industrial de células solares p + nn+ , pseudoquadradas de 80 mm x 80 mm, em silício crescido por fusão zonal flutuante (Si-FZ) tipo n e com metalização por serigrafia. A região p+ foi produzida a partir de boro depositado por spin-on e difusão a alta temperatura em forno convencional. A temperatura do processo de difusão de boro foi otimizada no intervalo de 900 ºC a 1020 ºC considerando as características elétricas das células solares. Os melhores dispositivos foram fabricados com difusão de boro a 1000 ºC por 20 min, atingindo-se uma eficiência de 14,6 %.
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