UTILIZAÇÃO DE EMISSORES POUCO DOPADOS NA CARACTERIZAÇÃO DE LÂMINAS DE SILÍCIO

Autores

  • C. A. S. Ramos Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP)
  • N. Stem Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP)
  • M. Cid Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP)

DOI:

https://doi.org/10.59627/cbens.2007.1708

Palavras-chave:

Medida de tempo de vida, Fotocondutância, Passivação de superfícies, Caracterização do material, Corrente de recombinação do emissor

Resumo

Este trabalho tem como objetivo principal a qualificação do silício utilizado como substrato na fabricação de células de solares, através da técnica do decaimento fotocondutivo (técnica amplamente empregada nos setores de pesquisa e produção industrial deste tipo de dispositivos).

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Publicado

2007-11-14

Edição

Seção

Anais