DESENVOLVIMENTO DO CAMPO RETRODIFUSOR SELETIVO DE ALUMÍNIO E BORO EM CÉLULAS SOLARES DE SILÍCIO

Autores

  • Thais Crestani Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
  • Izete Zanesco Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
  • Adriano Moehlecke Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
  • Ricardo Augusto Zanotto Razera Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
  • Jéssica de Aquino Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
  • José Cristiano Mengue Model Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)
  • Moussa Ly Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

DOI:

https://doi.org/10.59627/cbens.2016.1902

Palavras-chave:

Células Solares, Campo Retrodifusor Seletivo de B e Al, Temperatura de Queima de Pastas Metálicas

Resumo

As células solares típicas da indústria possuem um emissor frontal formado por fósforo e um campo retrodifusor homogêneo formado por pasta de alumínio, que provoca o abaulamento das células solares. Uma forma de evitar este problema é a formação de um campo retrodifusor seletivo de boro e alumínio. O objetivo deste artigo é apresentar o desenvolvimento do campo retrodifusor seletivo de boro e alumínio em células solares industriais processadas em lâminas de Si-Cz, grau solar. Otimizou-se a temperatura de queima das pastas de metalização e a temperatura de difusão de boro. Para formar o campo retrodifusor seletivo, a difusão de boro foi implementada em toda a face posterior da lâmina de silício e por serigrafia foi depositada a pasta de alumínio, somente nas trilhas metálicas. A resistência de folha média no emissor de fósforo foi de 56,4 /□ e na região com boro do campo retrodifusor variou de 21,8 /□ a 73,8 /□. A temperatura de queima (TQ) das pastas metálicas, que forma o campo retrodifusor seletivo nas trilhas metálicas, foi variada de 850 °C a 880 °C. Constatou-se que, em média, a melhor TQ ocorreu em 860 °C - 870 °C e a variação da eficiência em função da temperatura de queima foi inferior a 0,9 % (absoluto). O maior fator de forma resultou na maior eficiência média de 15,3 %. A densidade de corrente de curtocircuito praticamente não foi afetada pela TQ e pela temperatura de difusão de boro. A maior eficiência, de 15,7 %, foi obtida para a temperatura de difusão de boro de 960 °C e TQ de 880 °C e verificou-se que a tensão de circuito aberto tende a aumentar com o aumento da temperatura de difusão de boro.

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Biografia do Autor

Thais Crestani, Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

Faculdade de Física, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

Izete Zanesco , Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

Faculdade de Física, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

Adriano Moehlecke , Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

Faculdade de Física, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

Ricardo Augusto Zanotto Razera, Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

Faculdade de Física, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

Jéssica de Aquino, Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

Faculdade de Física, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

José Cristiano Mengue Model, Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

Faculdade de Física, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

Moussa Ly , Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS)

Faculdade de Física, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

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Publicado

2016-12-13

Como Citar

Crestani, T., Zanesco , I., Moehlecke , A., Razera, R. A. Z., Aquino, J. de, Model, J. C. M., & Ly , M. (2016). DESENVOLVIMENTO DO CAMPO RETRODIFUSOR SELETIVO DE ALUMÍNIO E BORO EM CÉLULAS SOLARES DE SILÍCIO. Anais Congresso Brasileiro De Energia Solar - CBENS, 1–8. https://doi.org/10.59627/cbens.2016.1902

Edição

Seção

Anais