ANÁLISE DE TEXTURAÇÃO SELETIVA NA FORMAÇÃO DE EMISSORES P+ COM RADIAÇÃO LASER PARA CÉLULAS SOLARES N-PERC
DOI:
https://doi.org/10.59627/cbens.2024.2384Palavras-chave:
Emissor seletivo, Difusão a laser, Emissor de BoroResumo
Este artigo apresenta o processamento e análise de emissores dopados com boro, formados com difusão a laser e texturação seletiva. As amostras foram produzidas por meio de dois processos de fabricação, denominados de A e B, com três distintas configurações do laser para difusão do boro. No processo A ou de texturação seletiva, a difusão de boro foi realizada antes do ataque anisotrópico necessário para formar uma superfície texturada. Para este processo, analisou-se o emprego de quatro tempos de texturação. No processo B, a texturação das superfícies foi realizada antes da difusão de boro com laser. Os dispositivos foram analisados por microscopia óptica, medida de resistência de folha (RSQ) e tempo de vida dos portadores de carga minoritários (τ). As amostras desenvolvidas pelo processo B (processo de controle) apresentaram valores de resistência de folha na ordem de 26 – 28 Ω/sq, enquanto as amostras desenvolvidas pelo processo A (processo com texturação seletiva) obtiveram um aumento nos valores de RSQ, sendo da ordem de 53 - 60 Ω/sq. Por meio da análise de tempo de vida dos portadores minoritários não foi possível constatar uma diferença significativa entre os danos ocasionados pelas diferentes configurações do laser. Ao se analisar a diferença percentual entre os valores de tempo de vida dos portadores de carga minoritários das regiões onde ocorreu a difusão com laser (trilhas) e das regiões sem difusão (entre trilhas), observou-se uma maior redução do τ nas amostras do processo de controle, com texturação pré-laser (processo B). Esses resultados são um indicativo de que o uso de um ataque anisotrópico com KOH pós-difusão a laser reduz parcialmente os danos gerados no processamento.
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