INFLUÊNCIA DO EMISSOR PRODUZIDO COM REDUÇÃO DE ETAPAS TÉRMICAS NOS PARÂMETROS ELÉTRICOS DE CÉLULAS SOLARES BIFACIAIS BASE N

Autores

  • Izete Zanesco Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
  • Fábio André Biazetto Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
  • Andrielen Braz Vanzetto Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
  • Augusto dos Santos Kochenborger Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
  • Estéfane Pereira dos Reis Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul
  • Adriano Moehlecke Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul

DOI:

https://doi.org/10.59627/cbens.2022.1075

Palavras-chave:

Células solares bifaciais, Estrutura PERT base n, Redução de etapas térmicas

Resumo

As células solares bifaciais fabricadas em lâminas de silício cristalino tipo n apresentam potencial de obtenção de maior eficiência e bifacialidade próxima a um. Com este foco, o objetivo deste artigo é analisar a influência do método de formação do emissor produzido na mesma etapa térmica que o campo retrodifusor nos parâmetros elétricos de células solares bifaciais base n com estrutura PERT e passivação das superfícies com SiO2. Foi utilizado o método de spin-on e a difusão do boro foi realizada em forno convencional, seguida da difusão do fósforo com POCl3. Variou-se a temperatura de difusão de boro e analisou-se a resistência de folha do emissor e do campo retrodifusor dopado com fósforo bem como a influência nos parâmetros elétricos das células solares bifaciais. Verificou-se que a resistência de folha do emissor de boro diminuiu de (116 ± 6) Ω/sq para (64 ± 2) Ω/sq com o aumento da temperatura de difusão de boro de 940 °C a 980 °C. Porém, a resistência de folha do campo retrodifusor de fósforo aumentou, indicando que a difusão de boro afeta a região dopada com fósforo. As maiores eficiências, de 15,3% e 15,5 % com irradiância no emissor e campo retrodifusor, respectivamente, foi alcançada com a temperatura de difusão de 960 °C. Neste dispositivo, a bifacialidade foi de 0,987. Constatou-se que a tensão de circuito aberto foi maior com irradiância no campo retrodifusor, independente da temperatura de processamento. Também se concluiu que a tensão de circuito aberto e o fator de forma cresceram até a temperatura de processamento de 960 °C, independente do modo de iluminação. Porém, a densidade de corrente de curto-circuito com irradiância no emissor tendeu a diminuir, devido ao aumento da recombinação dos portadores de carga minoritários. O fator de forma foi o parâmetro elétrico que mais influenciou na eficiência.

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Biografia do Autor

Izete Zanesco, Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul

Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul (PUCRS), Escola Politécnica, Núcleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar)

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Publicado

2022-08-16

Edição

Seção

Anais